PRODUCTS 非接触ウェハ検査機 Wafer Master WM 300
装置概要と特徴
ドイツOptoSurf社にて開発された光学式表面測定機 OS 500を搭載。測定面に照射したLEDスポット光の散乱角分布解析により、ウェハの粗さ・反り・うねりを高速・非接触で計測可能。
- インライン全面検査を可能とする計測スピード
- 非接触計測により検査時のキズ、へこみを防止
- 自動合否判定プログラムによる検査の省人化を実現
検査事例
粗さ検査（200mm Wafer）
Ra平均 -2nm（赤:3nm、 緑:2nm、 青: <1nm）
うねり検査（200mm Wafer）
うねりの位相 50nm
高精度粗さ検査
(範囲:20×20mm)
Ra中央値: 6nmWafer)
高精度うねり検査
(範囲:20×20mm)
Ra中央値: 6nmWafer)
300mm Waferの半径75mm (360°)の円周上でのプロファイル測定
- 上: 粗さ(Ra)、下:反り(um)
仕様
装置本体
| 測定方法 | 非接触LED散乱光方式 |
|---|---|
| 光源 | LED 670nm（Φ0.9mm） ※オプションLD（Φ0.03mm） |
| データ速度 | 2000/s |
| ウェハサイズ | 最大 300mm |
| スループット | 30～60秒（条件による） ※ウェハサイズ300mm 光源 Φ0.9mm |
| インターフェイス | SECCS/GEM |
| 寸法 | L700×W700×H1800mm |
| 重量 | 約100kg |
粗さ測定性能
| Ra計測範囲※1 | 0.5nm-200nm |
|---|---|
| 校正標準 | <Ra 0.5nm |
| MSA TEST （Type1） | cg>1.33 |
形状測定性能
| 測定角度 | -12°…+12° |
|---|---|
| 範囲※2 | （0.01μm-4mm） |
| うねり | 最小 1nm 方位分解能 < 60μm |
- Ra値は、高精度トポグラフィー測定システムとの相関測定に基づいています。
- 4mmは、基準長さ20mmに対し4mmの高さを意味します（局所的測定角度11°）
製品紹介動画
技術文献
よくあるご質問
どのくらいの計測スピードですか？
標準の測定条件で、300mmウェハー1枚、約30秒で計測します
ウェハーではなく角基板等の測定もできますか？
別途カスタマイズで対応可能です